名称：ICPECVD(感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统)  

　　设备介绍：电感耦合等离子体增强型化学气相沉积系统，可以用来沉积SiNx，SiO2介质膜，使用温度最高250℃，2/4/6寸晶圆兼容。

　　型号：SENTECH SI500D

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